Биполярный транзистор PNP 2SB1203 SANYO

Описание

2SB1203 от SANYO — кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор структуры PNP для мощных ключевых схем. Предельные напряжения: коллектор-база 60 В, коллектор-эмиттер 50 В, эмиттер-база 6 В. Постоянный ток коллектора 5 А, импульсный до 8 А, рассеиваемая мощность 20 Вт при температуре корпуса 25 °C. Корпус TP (TO-251, SC-64) с тремя выводами.

• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе 3 А и токе базы 0,15 А: типично 280 мВ, не более 550 мВ.
• Коэффициент усиления по току при 0,5 А лежит в пределах 70–400, по группам 70–140, 100–200, 140–280 и 200–400; при токе 4 А — не менее 35.
• Граничная частота типично 130 МГц; время включения 50 нс, рассасывания 450 нс, спада 20 нс.

Производитель называет сферу применения: драйверы реле, быстродействующие инверторы, преобразователи и другие мощные ключевые каскады. Комплементарная пара — NPN-транзистор 2SD1803.

Характеристики

Корпус

TO-251 (TP)

Структура

PNP

Граничная частота, МГц

130 тип.

Ток коллектора импульсный, А

8

Ток коллектора постоянный, А

5

Напряжение насыщения К-Э (3 А), мВ

280 тип., 550 макс.

Напряжение эмиттер-база макс., В

6

Рассеиваемая мощность (Tc = 25 °C), Вт

20

Коэффициент усиления по току (0,5 А)

70–400 (по группам)

Напряжение коллектор-база макс., В

60

Напряжение коллектор-эмиттер макс., В

50

Вес

0,165 г