Биполярный транзистор NPN 2SC5551AE-TD-E onsemi
- Партномер (MPN)
- 2SC5551AE-TD-E
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-89
- Тип
- Биполярный транзистор NPN
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы onsemi
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры 2SC5551AE-TD-E
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
onsemi 2SC5551AE-TD-E — высокочастотный мощный биполярный NPN-транзистор в корпусе SOT-89 (TO-243). Допустимо 30 В между коллектором и эмиттером, ток коллектора до 300 мА, рассеяние до 1,3 Вт.
Граничная частота — 3,5 ГГц, статический коэффициент передачи тока лежит в пределах 90–180.
Характеристики
- Корпус
- SOT-89
- Структура
- NPN
- Ток коллектора
- 300 мА
- Граничная частота
- 3,5 ГГц
- Рассеиваемая мощность
- 1,3 Вт
- Коэффициент усиления по току
- 90–180
- Напряжение коллектор–эмиттер макс.
- 30 В
- Вес
- 0,198 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор NPN 2SC5551AE-TD-E onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.