4N32M, корпус DIP-6 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Оптопара с составным транзистором 4N32M onsemi

Партномер (MPN)
4N32M
Производитель
onsemi
Корпус
DIP-6
Тип
Оптопара с составным транзистором
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры 4N32M

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

4N32M — оптопара onsemi с выходом на составном транзисторе (схема Дарлингтона) в 6-выводном корпусе DIP-6. Один канал, коммутируемое напряжение до 30 В, ток до 80 мА.

Напряжение изоляции между входом и выходом — 5,3 кВ. Оптопара гальванически разделяет управляющую логику и нагрузку, а высокий коэффициент передачи Дарлингтона позволяет управлять выходом малым током светодиода.

Характеристики

Корпус
DIP-6
Тип выхода
Составной транзистор (Дарлингтон)
Количество каналов
1
Напряжение изоляции, кВ
5,3
Коммутируемый ток макс., мА
80
Коммутируемое напряжение макс., В
30
Вес
0,230 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Оптопара с составным транзистором 4N32M onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.