BC856B.215, корпус SOT-23 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор BC856B.215 NXP

Партномер (MPN)
BC856B.215
Производитель
NXP
Корпус
SOT-23
Тип
Биполярный транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры BC856B.215

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

NXP BC856B.215 — малосигнальный PNP-транзистор в корпусе SOT-23 (TO-236AB), комплементарная пара к BC846B. Напряжение коллектор-эмиттер 65 В, коллектор-база 80 В, ток коллектора 100 мА, рассеиваемая мощность 250 мВт.

Коэффициент усиления по току 220–475, граничная частота 100 МГц, напряжение насыщения 650 мВ, рабочая температура от −65 до +150 °C.

Характеристики

Корпус
SOT-23
Структура
PNP
Ток коллектора, мА
100
Граничная частота, МГц
100
Рабочая температура, °C
−65…+150
Коэффициент усиления h21E
220–475
Напряжение насыщения, мВ
650
Рассеиваемая мощность, мВт
250
Напряжение коллектор-база, В
80
Напряжение коллектор-эмиттер, В
65
Вес
0,016 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор BC856B.215 NXP». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.