Биполярный транзистор BFG135.115 NXP
- Партномер (MPN)
- BFG135.115
- Производитель
- NXP
- Корпус
- SOT-223
- Тип
- Биполярный транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BFG135.115
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BFG135.115 — NPN широкополосный транзистор NXP на 7 ГГц в корпусе SOT-223. Напряжение коллектор-эмиттер — 15 В, коллектор-база — 25 В, эмиттер-база — 2 В, ток коллектора — 150 мА, рассеиваемая мощность — 1 Вт. Коэффициент h21э — от 80 до 130. В конструкции есть встроенные балластные резисторы в цепи эмиттера.
Характеристики
- Корпус
- SOT-223
- Структура
- NPN
- Ток коллектора, мА
- 150
- Напряжение К-Э макс., В
- 15
- Граничная частота, ГГц
- 7
- Коэффициент усиления h21э
- 80–130
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 1
- Вес
- 0,522 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор BFG135.115 NXP». Поставка под заказ от 1 шт.