Биполярный транзистор NPN BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BFP840FESDH6327XTSA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TSFP-4
- Тип
- Биполярный транзистор NPN
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BFP840FESDH6327XTSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 — ВЧ NPN-транзистор в четырёхвыводном корпусе TSFP-4, выпускается в автомобильном исполнении. Граничная частота — 85 ГГц, максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 2,6 В, ток коллектора — 35 мА.
Мощность рассеяния — 75 мВт, коэффициент усиления по току — от 150.
Корпус TSFP-4 — четырёхвыводной, для поверхностного монтажа. Классификация производителя — RF NPN BJT.
Характеристики
- Тип
- NPN, ВЧ
- Корпус
- TSFP-4
- Усиление по току мин.
- 150
- Граничная частота, ГГц
- 85
- Ток коллектора макс., мА
- 35
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 75
- Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
- 2,6
- Вес
- 0,143 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор NPN BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.