Биполярный транзистор NPN BFR93AE6327HTSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BFR93AE6327HTSA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- Биполярный транзистор NPN
- Категория
- Товары
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BFR93AE6327HTSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BFR93AE6327HTSA1 — ВЧ NPN-транзистор Infineon в корпусе SOT-23 (TO-236). Допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 12 В, ток коллектора — 90 мА, рассеиваемая мощность — 300 мВт.
Граничная частота — 6 ГГц, минимальное усиление по току — 70.
Корпус SOT-23 (TO-236) трёхвыводной, предназначен для поверхностного монтажа.
Транзистор одиночный, структура NPN, маркировка источника — RF-Trans 12 В 90 мА.
Характеристики
- Тип
- NPN, ВЧ
- Корпус
- SOT-23
- Усиление по току мин.
- 70
- Граничная частота, ГГц
- 6
- Ток коллектора макс., мА
- 90
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 300
- Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
- 12
- Вес
- 0,032 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор NPN BFR93AE6327HTSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.