Микросхема BTS640S2GATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BTS640S2GATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-263-7
- Тип
- Микросхема
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BTS640S2GATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BTS640S2GATMA1 — одноканальный интеллектуальный ключ верхнего плеча Infineon в корпусе TO-263-7. Внутри N-канальный вертикальный силовой транзистор с зарядовой накачкой, выполненный по технологии Smart SIPMOS; вход совместим с КМОП-уровнями. Напряжение питания — от 5 до 34 В, сопротивление открытого канала — 30 мОм, рабочая температура — от −40 до +150 °C.
- защита от короткого замыкания, ограничение тока и тепловое отключение;
- защита от перенапряжения (включая сброс нагрузки) и от переполюсовки;
- пропорциональная обратная связь по току нагрузки и диагностический выход с открытым стоком;
- быстрое размагничивание индуктивной нагрузки.
Характеристики
- Тип
- Ключ верхнего плеча, 1 канал
- Корпус
- TO-263-7
- Технология
- Smart SIPMOS
- Рабочая температура, °C
- −40…+150
- Напряжение питания мин., В
- 5
- Напряжение питания макс., В
- 34
- Сопротивление открытого канала, мОм
- 30
- Вес
- 1,610 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Микросхема BTS640S2GATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.