Биполярный транзистор BU508AF STMicroelectronics
- Партномер (MPN)
- BU508AF
- Производитель
- STMicroelectronics
- Корпус
- ISOWATT218
- Тип
- Биполярный транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BU508AF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BU508AF — мощный высоковольтный NPN-транзистор STMicroelectronics в изолированном пластиковом корпусе ISOWATT218. Допустимое напряжение коллектор-эмиттер при закрытой базе — 700 В, предельное — до 1,5 кВ, ток коллектора до 8 А, мощность рассеяния 50 Вт.
Коэффициент усиления по току находится в пределах от 5 до 30. Изолированный корпус позволяет крепить транзистор на радиатор без изолирующих прокладок. В обозначении напряжения важно не путать два числа: 1500 В относится к закрытому переходу при короткозамкнутых базе и эмиттере, 700 В — к открытой базе.
Характеристики
- Корпус
- ISOWATT218
- Структура
- NPN
- Ток коллектора макс., А
- 8
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 50
- Коэффициент усиления по току
- 5–30
- Напряжение при открытой базе, В
- 700
- Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
- 1500
- Вес
- 0,958 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор BU508AF STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.