CAT24M01WI-GT3, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Микросхема памяти EEPROM CAT24M01WI-GT3 onsemi

Партномер (MPN)
CAT24M01WI-GT3
Производитель
onsemi
Корпус
SOIC-8
Тип
Микросхема памяти EEPROM
Категория
EEPROM
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры CAT24M01WI-GT3

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

CAT24M01WI-GT3 — последовательная EEPROM ёмкостью 1 Мбит от onsemi с интерфейсом I2C. Организация 131 072 слова по 8 бит, буфер страничной записи 256 байт. Поддерживает режимы 100 кГц, 400 кГц и 1 МГц, питание от 1,8 до 5,5 В.

Заявлено 1 000 000 циклов записи-стирания и хранение данных 100 лет. Есть аппаратная защита записи всей памяти выводом WP и встроенная коррекция ошибок (ECC), на одной шине можно адресовать до четырёх микросхем. Корпус SOIC-8, диапазон температур от −40 до +85 °C.

Характеристики

Тип
EEPROM
Корпус
SOIC-8
Ёмкость
1 Мбит (128 К × 8)
Интерфейс
I2C
Циклов записи
1 000 000
Буфер страницы, байт
256
Хранение данных, лет
100
Напряжение питания, В
1,8…5,5
Частота шины макс., МГц
1
Диапазон температур, °C
−40…+85
Вес
0,657 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Микросхема памяти EEPROM CAT24M01WI-GT3 onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.