CGH40006S, корпус SMD (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

РЧ-компонент CGH40006S MACOM

Партномер (MPN)
CGH40006S
Производитель
MACOM
Корпус
SMD
Тип
GaN HEMT-транзистор
Категория
RF и СВЧ
Наличие
под заказ, срок по запросу

Цена по запросу

Добавьте позицию в запрос КП вместе с другими или запросите цену только по ней – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры CGH40006S

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

CGH40006S — несогласованный GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) от MACOM для питания 28 В и частот до 6 ГГц. Типовая выходная мощность — 8 Вт при входной мощности 32 дБм с КПД 65 %, усиление 13 дБ на 2 ГГц и 11 дБ на 6 ГГц. Предельное напряжение сток–исток — 120 В, температура перехода до 175 °C. Корпус QFN размером 3 × 3 мм.

Характеристики

КПД
65 %
Частота
до 6 ГГц
Uси макс.
120 В
Размер корпуса
3 × 3 мм
Усиление на 2 ГГц
13 дБ
Усиление на 6 ГГц
11 дБ
Рабочее напряжение
28 В
Выходная мощность (тип.)
8 Вт
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «РЧ-компонент CGH40006S MACOM». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.