MOSFET-транзистор CSD25404Q3 Texas Instruments
- Партномер (MPN)
- CSD25404Q3
- Производитель
- Texas Instruments
- Корпус
- SMD
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры CSD25404Q3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Texas Instruments CSD25404Q3 — P-канальный MOSFET NexFET на −20 В в корпусе SON 3,3×3,3 мм. Rds(on) до 6,5 мОм при −4,5 В и 12,1 мОм при −2,5 В, максимальное напряжение затвор-исток −12 В, пороговое напряжение −0,9 В, заряд затвора 10,8 нКл, входная ёмкость 2120 пФ, мощность 2,8 Вт.
Характеристики
- Корпус
- SON 3,3×3,3 мм
- Тип канала
- P
- Заряд затвора
- 10,8 нКл
- Входная ёмкость
- 2120 пФ
- Rds(on) при 2,5 В, макс.
- 12,1 мОм
- Rds(on) при 4,5 В, макс.
- 6,5 мОм
- Напряжение сток-исток
- −20 В
- Рассеиваемая мощность
- 2,8 Вт
- Напряжение затвор-исток
- −12 В
- Пороговое напряжение (тип.)
- −0,9 В
- Вес
- 0,476 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор CSD25404Q3 Texas Instruments». Поставка под заказ от 1 шт.