MOSFET-транзистор DMN55D0UT-7 DIODES
- Партномер (MPN)
- DMN55D0UT-7
- Производитель
- DIODES
- Корпус
- SOT-523
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Diodes Inc
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры DMN55D0UT-7
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
DMN55D0UT-7 — маломощный N-канальный MOSFET производства DIODES в корпусе SOT-523 с тремя выводами. Максимальное напряжение сток-исток 50 В, постоянный ток стока до 160 мА, сопротивление открытого канала не более 5 Ом. Пороговое напряжение затвора не выше 1 В, предельное напряжение затвор-исток ±12 В, рассеиваемая мощность 200 мВт. Температура от −55 до +150 °C.
Характеристики
- Канал
- N
- Корпус
- SOT-523
- Ток стока макс., мА
- 160
- Рабочая температура, °C
- −55…+150
- Мощность рассеяния, мВт
- 200
- Напряжение затвор-исток, В
- ±12
- Пороговое напряжение макс., В
- 1
- Напряжение сток-исток макс., В
- 50
- Сопротивление канала макс., Ом
- 5
- Вес
- 0,321 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор DMN55D0UT-7 DIODES». Поставка под заказ от 1 шт.