DTC114EM3T5G, корпус SOT-723 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Цифровой транзистор DTC114EM3T5G onsemi

Партномер (MPN)
DTC114EM3T5G
Производитель
onsemi
Корпус
SOT-723
Тип
Цифровой транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры DTC114EM3T5G

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

onsemi DTC114EM3T5G — NPN-транзистор со встроенными резисторами в корпусе SOT-723. Сопротивление в цепи базы 10 кОм, между базой и эмиттером тоже 10 кОм. Максимальное напряжение коллектор — эмиттер 50 В, ток коллектора 100 мА, рассеиваемая мощность 260 мВт. Коэффициент усиления по току — от 35 до 60.

Характеристики

Корпус
SOT-723
Структура
NPN
Ток коллектора макс., мА
100
Рассеиваемая мощность, мВт
260
Резистор база — эмиттер, кОм
10
Коэффициент усиления по току
35…60
Встроенный резистор в цепи базы, кОм
10
Напряжение коллектор — эмиттер макс., В
50
Вес
0,043 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Цифровой транзистор DTC114EM3T5G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.