FDB28N30TM, корпус TO-263 (типовой вид) — Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор FDB28N30TM onsemi

Партномер (MPN): FDB28N30TM
Производитель: onsemi
Корпус: TO-263
Тип: MOSFET-транзистор
Категория: Активные компоненты
Наличие: под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить цену и срок

Поставка под заказ, срок 4–7 недель
Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
Доставка по России транспортными компаниями
Входной контроль и условия возврата

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

FDB28N30TM — N-канальный MOSFET серии UniFET от onsemi в корпусе TO-263, напряжение сток-исток 300 В. Ток стока равен 28 А при 25 °C, а сопротивление открытого канала составляет 129 мОм при напряжении затвора 10 В. Заряд затвора 39 нКл. Транзистор выполнен в корпусе для поверхностного монтажа.

Характеристики

Серия: UniFET
Корпус: TO-263
Тип канала: N
Заряд затвора, нКл: 39
Ток стока при 25 °C, А: 28
Напряжение затвора, В: 10
Напряжение сток-исток, В: 300
Сопротивление канала, мОм: 129
Вес: 0,890 г

Работали с этой позицией? Оставьте отзыв

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор FDB28N30TM onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.