FDD86252, корпус TO-252 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET N-канальный FDD86252 onsemi

Партномер (MPN)
FDD86252
Производитель
onsemi
Корпус
TO-252
Тип
MOSFET N-канальный
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры FDD86252

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

FDD86252 — N-канальный MOSFET onsemi на технологии PowerTrench с экранированным затвором, на напряжение сток-исток 150 В. Сопротивление открытого канала не выше 52 мОм при затворе 10 В и токе 5 А, а при 6 В — не выше 72 мОм.

Постоянный ток стока 27 А при температуре корпуса 25 °C, рассеиваемая мощность 89 Вт (по корпусу) и 3,1 Вт (на воздухе). Заряд затвора 16 нКл, входная ёмкость около 985 пФ, допустимое напряжение затвор-исток ±20 В. Диапазон температур перехода -55…+150 °C. Корпус TO-252 (DPAK), монтаж поверхностный; все приборы проходят 100%-ный контроль на лавинную стойкость.

Характеристики

Тип
N-канальный MOSFET
Корпус
TO-252 (DPAK)
Заряд затвора, нКл
16
Входная ёмкость, пФ
985
Ток стока при Tc 25 °C, А
27
Напряжение сток-исток, В
150
Температура перехода, °C
-55…150
Напряжение затвор-исток, В
±20
Сопротивление канала при 10 В, мОм
52 (макс.)
Рассеиваемая мощность (по корпусу), Вт
89
Вес
0,635 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET N-канальный FDD86252 onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.