FDMS86101DC, корпус PQFN-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор FDMS86101DC onsemi

Партномер (MPN)
FDMS86101DC
Производитель
onsemi
Корпус
PQFN-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры FDMS86101DC

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

FDMS86101DC от onsemi — N-канальный силовой MOSFET серии PowerTrench с двусторонним охлаждением Dual Cool в корпусе PQFN-8 размером 5×6 мм. Допустимое напряжение сток-исток — 100 В, сопротивление открытого канала — 7,5 мОм при 10 В на затворе, ток стока 14,5 А при температуре окружающей среды 25 °C.

Низкое сопротивление канала и теплоотвод через верхнюю сторону корпуса делают транзистор удобным для силовых ключей в плотном монтаже.

Характеристики

Корпус
PQFN-8 (5×6 мм)
Тип канала
N
Заряд затвора, нКл
44
Входная ёмкость, пФ
3135
Ток стока при 25 °C, А
14,5
Рассеиваемая мощность, Вт
3,2
Напряжение сток-исток макс., В
100
Напряжение затвор-исток макс., В
±20
Сопротивление открытого канала, мОм
7,5
Вес
0,413 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор FDMS86101DC onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.