MOSFET-транзистор FDV303N onsemi
- Партномер (MPN)
- FDV303N
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры FDV303N
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
FDV303N — маломощный N-канальный цифровой MOSFET onsemi в корпусе SOT-23 с тремя выводами. Рассчитан на напряжение сток-исток 25 В и постоянный ток 0,68 А, импульсный ток доходит до 2 А. Сопротивление открытого канала — 0,45 Ом при 4,5 В на затворе и 0,6 Ом при 2,7 В.
Пороговое напряжение затвора типично 0,8 В, максимум 1,5 В, поэтому ключ уверенно открывается от логических уровней. Заряд затвора всего 1,64 нКл, рассеиваемая мощность 0,35 Вт. Транзистор предназначен для коммутации небольших нагрузок прямо с выхода цифровой схемы.
Характеристики
- Корпус
- SOT-23
- Тип канала
- N
- Заряд затвора, нКл
- 1,64
- Ток стока импульсный, А
- 2
- Ток стока постоянный, А
- 0,68
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 0,35
- Напряжение сток-исток макс., В
- 25
- Пороговое напряжение затвора, В
- 0,8 (тип.), 1,5 (макс.)
- Сопротивление канала при 2,7 В, Ом
- 0,6
- Сопротивление канала при 4,5 В, Ом
- 0,45
- Вес
- 0,049 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор FDV303N onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.