IGBT-модуль FP25R12KE3 Infineon
- Партномер (MPN)
- FP25R12KE3
- Производитель
- Infineon
- Тип
- IGBT-модуль
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры FP25R12KE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Infineon FP25R12KE3 — IGBT-модуль EconoPIM 2 на 1200 В на кристаллах IGBT3 Trench Field Stop с номинальным током 25 А и током 40 А при 25 °C. В модуле шесть ключей, максимальная рассеиваемая мощность 155 Вт, напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,7 В. Изоляция между силовой частью и основанием выдерживает 2,5 кВ переменного напряжения в течение минуты.
Характеристики
- Число ключей
- 6
- Ток при 25 °C, А
- 40
- Напряжение К-Э, В
- 1200
- Номинальный ток, А
- 25
- Технология кристалла
- Trench Field Stop
- Напряжение изоляции, кВ
- 2,5 (1 мин)
- Мощность рассеивания, Вт
- 155
- Напряжение насыщения К-Э, В
- 1,7
- Вес
- 30 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-модуль FP25R12KE3 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.