Микросхема памяти GS8160Z18DGT-200I GSI
- Партномер (MPN)
- GS8160Z18DGT-200I
- Производитель
- GSI
- Корпус
- TQFP-100
- Тип
- Микросхема памяти
- Категория
- Усилители операционные
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры GS8160Z18DGT-200I
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
GS8160Z18DGT-200I от GSI — синхронная статическая память NBT (ZBT) SRAM объёмом 18 Мбит, организация 1M × 18 бит, корпус TQFP-100. Напряжение питания 2,3–2,7 В; семейство рассчитано на работу от 2,5 или 3,3 В.
- Адрес, данные и сигналы чтения/записи фиксируются по фронту тактового сигнала
- Асинхронные входы — режим сна ZZ и разрешение выхода
- Вход выбора порядка пакета LBO подключается к шине питания
Память исключает паузы между циклами чтения и записи.
Характеристики
- Корпус
- TQFP-100
- Тип памяти
- NBT (ZBT) SRAM, синхронная
- Объём, Мбит
- 18
- Организация
- 1M × 18
- Напряжение питания, В
- 2,3–2,7
- Вес
- 38 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Микросхема памяти GS8160Z18DGT-200I GSI». Поставка под заказ от 1 шт.