IGBT-транзистор GT50JR22 Toshiba
- Партномер (MPN)
- GT50JR22
- Производитель
- Toshiba
- Корпус
- TO-3P
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры GT50JR22
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
GT50JR22 — IGBT-транзистор Toshiba в корпусе TO-3P. Допустимое напряжение между коллектором и эмиттером — 600 В, постоянный ток коллектора при 25 °C — 50 А, рассеиваемая мощность — до 230 Вт.
- Падение на открытом транзисторе (К-Э): 2,2 В
- Задержка включения 250 нс, выключения 330 нс
Характеристики
- Корпус
- TO-3P
- Мощность макс., Вт
- 230
- Время включения, нс
- 250
- Время выключения, нс
- 330
- Напряжение К-Э макс., В
- 600
- Напряжение насыщения К-Э, В
- 2,2
- Ток коллектора макс. (25 °C), А
- 50
- Вес
- 0,735 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор GT50JR22 Toshiba». Поставка под заказ от 1 шт.