IPD50R2K0CEAUMA1, корпус TO-252 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon

Партномер (MPN)
IPD50R2K0CEAUMA1
Производитель
Infineon
Корпус
TO-252
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IPD50R2K0CEAUMA1

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IPD50R2K0CEAUMA1 — N-канальный MOSFET серии CoolMOS CE в корпусе TO-252 на напряжение сток-исток 500 В. Номинальный ток стока 2,2 А при 25 °C, сопротивление открытого канала 2 Ом, рассеиваемая мощность 19 Вт.

Максимальное напряжение затвора 20 В, заряд затвора 6 нКл, входная ёмкость затвора 124 пФ.

Характеристики

Тип
N-канальный MOSFET, CoolMOS CE
Корпус
TO-252
Заряд затвора
6 нКл
Ёмкость затвора
124 пФ
Ток стока при 25 °C
2,2 А
Мощность рассеяния
19 Вт
Сопротивление канала
2 Ом
Напряжение затвора макс., В
20
Напряжение сток-исток макс., В
500
Вес
0,640 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.