IPW90R800C3, корпус TO-247 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IPW90R800C3 Infineon

Партномер (MPN)
IPW90R800C3
Производитель
Infineon
Корпус
TO-247
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IPW90R800C3

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IPW90R800C3 — высоковольтный N-канальный MOSFET серии CoolMOS C3 производства Infineon на 900 В с сопротивлением открытого канала 800 мОм в корпусе TO-247. Низкое удельное сопротивление на единицу площади кристалла, малая энергия, запасаемая в выходной ёмкости при 400 В, и малый заряд затвора.

Характеристики

Тип
MOSFET N-канал
Корпус
TO-247
Заряд затвора, нКл
42
Мощность рассеяния, Вт
104
Напряжение сток-исток, В
900
Сопротивление открытого канала, мОм
800
Вес
5,880 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPW90R800C3 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.