IRF5210PBF, корпус TO-220 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF5210PBF International Rectifier

Партномер (MPN)
IRF5210PBF
Производитель
International Rectifier
Корпус
TO-220
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF5210PBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF5210PBF — мощный P-канальный MOSFET серии HEXFET производства International Rectifier в корпусе TO-220AB. Рассчитан на напряжение сток-исток -100 В и ток стока 40 А при 25 °C, сопротивление открытого канала 60 мОм при затворе 10 В.

Рассеиваемая мощность достигает 200 Вт, максимальное напряжение затвора 20 В. Заряд затвора 180 нКл, ёмкость затвора 2700 пФ — эти значения нужны при расчёте драйвера и потерь на переключение.

Характеристики

Тип
P-канальный MOSFET
Корпус
TO-220AB
Заряд затвора, нКл
180
Ёмкость затвора, пФ
2700
Ток стока при 25 °C, А
40
Рассеиваемая мощность, Вт
200
Напряжение сток-исток макс., В
-100
Напряжение затвор-исток макс., В
20
Сопротивление открытого канала, мОм
60
Вес
0,633 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF5210PBF International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.