IRF7311PBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7311PBF International Rectifier

Партномер (MPN)
IRF7311PBF
Производитель
International Rectifier
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7311PBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

International Rectifier IRF7311PBF — сдвоенный N-канальный MOSFET HEXFET на 20 В в корпусе SO-8. Ток стока 6,6 А, сопротивление открытого канала 29 мОм при 4,5 В на затворе, мощность рассеивания 2 Вт.

Обладает динамическим dV/dt и быстрым переключением; диапазон рабочих температур −55…+150 °C, максимальное напряжение затвор-исток 12 В.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Ток стока, А
6,6
Конфигурация
два N-канала
Рабочая температура
−55…+150 °C
Напряжение сток-исток, В
20
Рассеиваемая мощность, Вт
2
Сопротивление канала, мОм
29 (при 4,5 В)
Напряжение затвор-исток макс., В
12
Вес
0,442 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7311PBF International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.