MOSFET-транзистор IRFR5305TRPBF Infineon
- Партномер (MPN)
- IRFR5305TRPBF
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-252
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRFR5305TRPBF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRFR5305TRPBF — P-канальный MOSFET семейства HEXFET производства Infineon в планарном корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 55 В, ток стока 31 А при 25 °C, сопротивление открытого канала 65 мОм при затворе 10 В.
- Рассеиваемая мощность 110 Вт
- Заряд затвора 63 нКл, входная ёмкость около 1200 пФ
- Максимальное напряжение затвор-исток 20 В
Корпус для поверхностного монтажа; поставляется на ленте в катушке.
Характеристики
- Тип
- MOSFET, P-канал
- Серия
- HEXFET
- Корпус
- TO-252 (DPAK)
- Заряд затвора, нКл
- 63
- Входная ёмкость, пФ
- 1200
- Ток стока при 25 °C, А
- 31
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 110
- Напряжение сток-исток макс., В
- 55
- Сопротивление канала Rds(on), мОм
- 65 (при Vgs 10 В)
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 20
- Вес
- 0,150 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRFR5305TRPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.