MOSFET-транзистор IRFR9N20D International Rectifier
- Партномер (MPN)
- IRFR9N20D
- Производитель
- International Rectifier
- Корпус
- TO-252
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRFR9N20D
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRFR9N20D от International Rectifier — N-канальный HEXFET MOSFET на 200 В в корпусе D-Pak (TO-252). Ток стока 9,4 А, импульсный ток 38 А, сопротивление открытого канала 380 мОм, рассеиваемая мощность 86 Вт.
Заряд затвора 18 нКл, пороговое напряжение 3…5,5 В, допустимое напряжение затвор-исток ±30 В, температура −55…+175 °C.
Характеристики
- Корпус
- TO-252 (D-Pak)
- Полярность
- N-канал
- Ток стока, А
- 9,4
- Заряд затвора, нКл
- 18
- Рабочая температура
- −55…+175 °C
- Импульсный ток стока, А
- 38
- Напряжение сток-исток, В
- 200
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 86
- Сопротивление канала, мОм
- 380
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±30
- Вес
- 0,130 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRFR9N20D International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.