IRL530NPBF, корпус TO-220 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRL530NPBF Infineon

Партномер (MPN)
IRL530NPBF
Производитель
Infineon
Корпус
TO-220
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRL530NPBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRL530NPBF — логический N-канальный MOSFET серии HEXFET от Infineon в корпусе TO-220AB. Напряжение сток-исток 100 В, сопротивление открытого канала 100 мОм при 10 В на затворе; полностью открывается при 4–10 В.

Импульсный ток стока 60 А, заряд затвора 34 нКл, входная ёмкость 800 пФ, предельное напряжение затвора ±16 В.

Характеристики

Корпус
TO-220AB
Тип канала
N, логический уровень
Заряд затвора, нКл
34
Ёмкость затвора, пФ
800
Импульсный ток стока, А
60
Сопротивление канала, мОм
100 (при 10 В)
Напряжение затвора макс., В
16
Напряжение сток-исток макс., В
100
Вес
0,900 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRL530NPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.