IRLR024NTRPbF, корпус TO-252 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRLR024NTRPbF Infineon

Партномер (MPN)
IRLR024NTRPbF
Производитель
Infineon
Корпус
TO-252
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRLR024NTRPbF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRLR024NTRPbF — N-канальный MOSFET серии HEXFET от Infineon в корпусе TO-252 (DPAK). Максимальное напряжение сток–исток 55 В, ток стока при 25 °C — 17 А, рассеиваемая мощность 45 Вт.

Сопротивление открытого канала составляет от 65 до 110 мОм в зависимости от напряжения на затворе (диапазон 4–10 В), заряд затвора 15 нКл, входная ёмкость 480 пФ. Предельное напряжение затвора — 16 В.

Характеристики

Корпус
TO-252
Тип канала
N
Заряд затвора, нКл
15
Ёмкость затвора, пФ
480
Ток стока при 25 °C, А
17
Мощность рассеяния, Вт
45
Сопротивление канала, мОм
65–110
Напряжение затвора макс., В
16
Напряжение затвора (рабочее), В
4–10
Напряжение сток–исток макс., В
55
Вес
0,300 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRLR024NTRPbF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.