ITA25B1RL, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Микросхема ITA25B1RL STMicroelectronics

Партномер (MPN)
ITA25B1RL
Производитель
STMicroelectronics
Корпус
SOIC-8
Тип
Микросхема
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры ITA25B1RL

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

ITA25B1RL — массив двунаправленных защитных диодов Transil производства STMicroelectronics для защиты линий передачи данных, корпус SOIC-8. Минимальное напряжение пробоя 25 В, рабочее обратное напряжение 24 В, максимальное напряжение ограничения 38 В, ток утечки до 4 мкА.

Импульсная мощность 300 Вт (8/20 мкс), пиковый ток до 40 А. Стойкость к электростатическому разряду по IEC 61000-4-2 уровня 4: 15 кВ по воздуху и 8 кВ контактный. Температура −55…+150 °C.

Характеристики

Тип
двунаправленный массив Transil
Корпус
SOIC-8
Ток утечки макс., мкА
4
Рабочая температура, °C
−55…+150
Пиковый импульсный ток, А
40
Рабочее обратное напряжение, В
24
Импульсная мощность (8/20 мкс), Вт
300
Напряжение ограничения макс., В
38
Минимальное напряжение пробоя, В
25
Вес
1,340 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Микросхема ITA25B1RL STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.