Микросхема памяти SRAM K6R4008V1D-KI10 Samsung Electro-Mechanics
- Партномер (MPN)
- K6R4008V1D-KI10
- Производитель
- Samsung Electro-Mechanics
- Корпус
- SOJ-36
- Тип
- Микросхема памяти SRAM
- Категория
- Пассивные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры K6R4008V1D-KI10
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
K6R4008V1D-KI10 — быстродействующая асинхронная статическая память SRAM ёмкостью 4 Мбит (512K × 8) в 36-выводном корпусе SOJ-36 шириной 400 mil. Напряжение питания 3,0…3,6 В, время доступа 10 нс, параллельный интерфейс.
Исполнение для промышленного диапазона температур −40…+85 °C.
Характеристики
- Корпус
- SOJ-36
- Интерфейс
- параллельный
- Тип памяти
- SRAM
- Организация
- 512K × 8
- Ёмкость, Мбит
- 4
- Время доступа, нс
- 10
- Напряжение питания, В
- 3,0…3,6
- Рабочая температура, °C
- −40…+85
- Вес
- 1,890 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Микросхема памяти SRAM K6R4008V1D-KI10 Samsung Electro-Mechanics». Поставка под заказ от 1 шт.