Биполярный транзистор PNP KTB817 KEC
- Партномер (MPN)
- KTB817
- Производитель
- KEC
- Корпус
- TO-3P
- Тип
- Биполярный транзистор PNP
- Категория
- Товары
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры KTB817
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
KTB817 — мощный биполярный транзистор структуры PNP производства KEC в корпусе TO-3P. Выполнен по трижды диффузионной технологии и рассчитан на усилители мощности.
- напряжение коллектор–эмиттер до 140 В, коллектор–база до 160 В;
- ток коллектора до 12 А;
- рассеиваемая мощность 100 Вт при температуре корпуса 25 °C;
- минимальный коэффициент усиления по току 100, граничная частота около 15 МГц.
Комплементарная пара — транзистор KTD1047 (NPN). Транзистор рекомендован для выходных каскадов звуковых усилителей мощностью до 60 Вт.
Характеристики
- Корпус
- TO-3P
- Структура
- PNP
- Граничная частота, МГц
- 15
- Ток коллектора макс., А
- 12
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 100
- Напряжение эмиттер–база макс., В
- 6
- Напряжение коллектор–база макс., В
- 160
- Коэффициент усиления по току h21э мин.
- 100
- Напряжение коллектор–эмиттер макс., В
- 140
- Вес
- 0,380 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор PNP KTB817 KEC». Поставка под заказ от 1 шт.