L6399D, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Драйвер полумоста L6399D STMicroelectronics

Партномер (MPN)
L6399D
Производитель
STMicroelectronics
Корпус
SOIC-8
Тип
Драйвер полумоста
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры L6399D

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

L6399D — высоковольтный драйвер верхнего и нижнего ключей полумоста STMicroelectronics для N-канальных MOSFET и IGBT в корпусе SO-8. Напряжение шины до 600 В, ток выхода 290 мА на втекание и 430 мА на вытекание. Время нарастания/спада 75/35 нс при нагрузке 1 нФ, встроенный бутстрепный диод, мёртвое время 320 нс, блокировка от сквозных токов. Входы совместимы с логикой 3,3 и 5 В. Рабочая температура от −40 до +125 °C.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Мёртвое время
320 нс
Напряжение шины
до 600 В
Рабочая температура
−40…+125 °C
Время нарастания/спада
75/35 нс (1 нФ)
Выходной ток (втекание)
290 мА
Выходной ток (вытекание)
430 мА
Вес
1,890 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Драйвер полумоста L6399D STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.