IGBT-модуль MIEB101W1200EH IXYS
- Партномер (MPN)
- MIEB101W1200EH
- Производитель
- IXYS
- Корпус
- E3-Pack
- Тип
- IGBT-модуль
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры MIEB101W1200EH
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
MIEB101W1200EH — силовой модуль IXYS в корпусе E3-Pack: шесть IGBT по технологии SPT+ в трёхфазной мостовой схеме с быстрыми обратными диодами SONIC. Напряжение коллектор-эмиттер 1200 В, ток коллектора при 25 °C — 183 А, максимальная рассеиваемая мощность 630 Вт.
Модуль имеет низкое напряжение насыщения и малые потери переключения, квадратную область безопасной работы RBSOA без защёлкивания и повышенную стойкость к короткому замыканию. Основание — изолированная медная пластина, выводы под пайку на плату. Рабочая температура −40…+125 °C.
Характеристики
- Схема
- Трёхфазный мост (шесть IGBT)
- Корпус
- E3-Pack
- Рабочая температура, °C
- −40…+125
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 183
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 630
- Напряжение коллектор-эмиттер, В
- 1200
- Вес
- 104,895 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-модуль MIEB101W1200EH IXYS». Поставка под заказ от 1 шт.