MJ11032, корпус TO-3 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор MJ11032 onsemi

Партномер (MPN)
MJ11032
Производитель
onsemi
Корпус
TO-3
Тип
Биполярный транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры MJ11032

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

MJ11032 — мощный биполярный n-p-n транзистор Дарлингтона производства onsemi в металлическом корпусе TO-204 (TO-3). Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 120 В, ток коллектора до 50 А, рассеиваемая мощность 300 Вт.

Диапазон рабочих температур перехода — от −55 до +200 °C. Корпус двухвыводной, коллектором служит металлический корпус.

Характеристики

Структура
NPN, составной (Дарлингтон)
Ток коллектора макс., А
50
Температура перехода, °C
−55…+200
Рассеиваемая мощность, Вт
300
Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
120
Вес
11,350 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор MJ11032 onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.