MMFT960T1G, корпус SOT-223 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор MMFT960T1G onsemi

Партномер (MPN)
MMFT960T1G
Производитель
onsemi
Корпус
SOT-223
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры MMFT960T1G

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

MMFT960T1G — N-канальный MOSFET onsemi в корпусе SOT-223. Напряжение сток-исток 60 В, ток стока 300 мА, сопротивление открытого канала не более 1,7 Ом при напряжении на затворе 10 В и токе 1 А.

Заряд затвора 3,2 нКл, входная ёмкость 65 пФ, рассеиваемая мощность 800 мВт. Кремниевый затвор обеспечивает быстрое переключение и малые требования к управлению.

Характеристики

Тип канала
N
Ток стока, мА
300
Заряд затвора, нКл
3,2
Входная ёмкость, пФ
65
Напряжение сток-исток, В
60
Рассеиваемая мощность, мВт
800
Сопротивление канала макс., Ом
1,7 (10 В, 1 А)
Вес
0,230 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор MMFT960T1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.