ВЧ-транзистор LDMOS MRFE6VP8600HSR5 NXP
- Партномер (MPN)
- MRFE6VP8600HSR5
- Производитель
- NXP
- Корпус
- NI-1230S
- Тип
- ВЧ-транзистор LDMOS
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры MRFE6VP8600HSR5
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
MRFE6VP8600HSR5 — мощный ВЧ-транзистор NXP на основе LDMOS, двухэлементный N-канальный, в корпусе NI-1230S. Рассчитан на диапазон 470–860 МГц с выходной мощностью 600 Вт в непрерывном режиме при питании 50 В; усиление 19,3 дБ.
Максимальное напряжение сток–исток 130 В, рассеиваемая мощность 1,052 кВт. Выдерживает КСВ более 65:1 при любых фазах нагрузки на 50 В и 860 МГц.
Характеристики
- Корпус
- NI-1230S
- Технология
- LDMOS, N-канальный
- Усиление, дБ
- 19,3
- Диапазон частот, МГц
- 470…860
- Напряжение питания, В
- 50
- Выходная мощность CW, Вт
- 600
- Рассеиваемая мощность, кВт
- 1,052
- Напряжение сток–исток макс., В
- 130
- Вес
- 252 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «ВЧ-транзистор LDMOS MRFE6VP8600HSR5 NXP». Поставка под заказ от 1 шт.