NTD20N06LT4G, корпус TO-252 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор NTD20N06LT4G onsemi

Партномер (MPN)
NTD20N06LT4G
Производитель
onsemi
Корпус
TO-252
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы onsemi
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры NTD20N06LT4G

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

NTD20N06LT4G от onsemi — N-канальный силовой MOSFET логического уровня в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 В, ток стока 20 А.

Сопротивление открытого канала 48 мОм при управляющем напряжении 5 В. Заряд затвора 32 нКл, ёмкость затвора 990 пФ, максимальное напряжение затвор-исток 15 В.

Характеристики

Тип
N-канальный MOSFET, логический уровень
Корпус
TO-252 (DPAK)
Заряд затвора, нКл
32
Ток стока при 25 °C, А
20
Сопротивление канала, мОм
48
Напряжение затвора для Rds(on), В
5
Напряжение сток-исток макс., В
60
Напряжение затвор-исток макс., В
15
Вес
0,417 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор NTD20N06LT4G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.