MOSFET-транзистор NTGD4167CT1G onsemi
- Партномер (MPN)
- NTGD4167CT1G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TSOP-6
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры NTGD4167CT1G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
NTGD4167CT1G — комплементарная пара МОП-транзисторов onsemi в корпусе TSOP-6 (3×3 мм), N- и P-канальные транзисторы подключены независимо. Напряжение сток–исток — 30 В, затвор–исток — ±12 В. У N-канального ток стока — 2,6 А (2,9 А в течение до 5 с), сопротивление канала — 125 мОм при 2,5 В и 90 мОм при 4,5 В; у P-канального — 300 и 170 мОм при тех же напряжениях.
Характеристики
- Корпус
- TSOP-6
- Конфигурация
- N + P
- Ток стока N-канала, А
- 2,6
- Напряжение сток–исток, В
- 30
- Сопротивление N-канала, мОм
- 125 (2,5 В); 90 (4,5 В)
- Сопротивление P-канала, мОм
- 300 (2,5 В); 170 (4,5 В)
- Напряжение затвор–исток, В
- ±12
- Вес
- 0,321 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор NTGD4167CT1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.