MOSFET-транзистор NTS4173PT1G onsemi
- Партномер (MPN)
- NTS4173PT1G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-323
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры NTS4173PT1G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
NTS4173PT1G — P-канальный маломощный MOSFET onsemi в корпусе SC-70 (SOT-323). Максимальное напряжение сток-исток −30 В, ток стока 1,2 А при 25 °C, сопротивление открытого канала 150–200 мОм.
Затвор управляется напряжением 2,5–10 В, предельное значение — 12 В. Заряд затвора 10,1 нКл, ёмкость затвора 430 пФ, рассеиваемая мощность 290 мВт.
Характеристики
- Корпус
- SC-70 (SOT-323)
- Тип канала
- P
- Заряд затвора, нКл
- 10,1
- Ёмкость затвора, пФ
- 430
- Ток стока при 25 °C, А
- 1,2
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 290
- Напряжение сток-исток макс., В
- −30
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 12
- Напряжение управления затвором, В
- 2,5–10
- Сопротивление открытого канала, мОм
- 150–200
- Вес
- 1,500 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор NTS4173PT1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.