PBHV8540T, корпус SOT-23 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор NPN PBHV8540T NXP

Партномер (MPN)
PBHV8540T
Производитель
NXP
Корпус
SOT-23
Тип
Биполярный транзистор NPN
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры PBHV8540T

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

PBHV8540T — высоковольтный NPN-транзистор с малым напряжением насыщения в корпусе SOT-23 (TO-236AB). Максимальное пиковое напряжение коллектор-эмиттер 500 В, VCEO 400 В, ток коллектора 0,5 А, коэффициент усиления по току 100–200 при 50 мА. Производитель NXP указывает применения: балласты ламп, драйверы светодиодов, подсветка, импульсные источники питания.

Характеристики

Тип
NPN-транзистор
Корпус
SOT-23
Ток коллектора, А
0,5
Коэффициент усиления h21E
100…200 (при 50 мА)
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO, В
400
Напряжение коллектор-эмиттер пиковое, В
500
Вес
0,100 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор NPN PBHV8540T NXP». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.