Цифровой транзистор PDTC114EE NXP
- Партномер (MPN)
- PDTC114EE
- Производитель
- NXP
- Корпус
- SOT-416
- Тип
- Цифровой транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры PDTC114EE
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
PDTC114EE — NPN-транзистор со встроенными резисторами смещения производства NXP в корпусе SOT-416 (SC-75). Резистор в цепи базы 10 кОм и резистор база — эмиттер 10 кОм собраны в одном кристалле с транзистором.
- Максимальное напряжение коллектор — эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 100 мА
- Минимальный коэффициент усиления по току: 30
- Рассеиваемая мощность до 150 мВт, температура до +150 °C
Характеристики
- Корпус
- SOT-416 (SC-75)
- Структура
- NPN
- Ток коллектора, мА
- 100
- Резистор в цепи базы, кОм
- 10
- Резистор база-эмиттер, кОм
- 10
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 150
- Коэффициент усиления по току мин.
- 30
- Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
- 50
- Вес
- 0,016 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Цифровой транзистор PDTC114EE NXP». Поставка под заказ от 1 шт.