PMBFJ177.215, корпус SOT-23 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

JFET-транзистор PMBFJ177.215 NXP

Партномер (MPN)
PMBFJ177.215
Производитель
NXP
Корпус
SOT-23
Тип
JFET-транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры PMBFJ177.215

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

PMBFJ177.215 — полевой транзистор с p-n-переходом (JFET) NXP с каналом p-типа в корпусе SOT-23. Максимальное напряжение сток–исток и затвор–исток — 30 В, рассеиваемая мощность 300 мВт.

Характеристики

Корпус
SOT-23
Rds(on) макс.
300 Ом
Тип канала
P
Ток стока Idss
1,5–20 мА
Входная ёмкость макс.
8 пФ
Рассеиваемая мощность
300 мВт
Напряжение сток–исток макс.
30 В
Напряжение затвор–исток макс.
30 В
Вес
0,400 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «JFET-транзистор PMBFJ177.215 NXP». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.