PMV65XP, корпус SOT-23 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор PMV65XP NXP

Партномер (MPN)
PMV65XP
Производитель
NXP
Корпус
SOT-23
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы NXP
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры PMV65XP

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

PMV65XP — одиночный p-канальный MOSFET NXP в корпусе SOT-23 (TO-236AB), выполненный по технологии Trench. Напряжение сток–исток −20 В, низкое пороговое напряжение; сопротивление канала нормируется при напряжении затвора 2,5 и 4,5 В. Рассеиваемая мощность 0,48 Вт, температура перехода до +150 °C.

Характеристики

Тип
MOSFET, P-канал, Trench
Корпус
SOT-23
Рассеиваемая мощность, Вт
0,48
Напряжение сток-исток макс., В
−20
Температура перехода макс., °C
150
Напряжение затвора (нормировка Rds(on)), В
2,5 и 4,5
Вес
0,022 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор PMV65XP NXP». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.