PVN012SPBF, корпус DIP (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Интегральная схема PVN012SPBF Littelfuse

Партномер (MPN)
PVN012SPBF
Производитель
Littelfuse
Корпус
DIP
Тип
Твердотельное реле
Категория
Товары
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры PVN012SPBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

Littelfuse PVN012SPBF — фотогальваническое MOSFET-реле (PhotoMOS) с замыкающим контактом SPST-NO. Выходной ключ — HEXFET пятого поколения, управляемый фотогальваническим генератором; светодиод на GaAlAs оптически изолирован от генератора.

Сопротивление в открытом состоянии 100 мОм, коммутируемое напряжение 0–20 В, ток 2,5 А AC или 4,5 А DC. Изоляция вход–выход 4000 В (среднекв.), устойчивость к ESD 4000 В (HBM). Корпус — 6-выводной DIP с выводами типа «крыло чайки».

Характеристики

Выход
HEXFET, поколение V
Ток (AC)
2,5 А
Ток (DC)
4,5 А
Корпус
6-выводной DIP, выводы «крыло чайки»
Изоляция вход–выход
4000 В (среднекв.)
Конфигурация контактов
SPST-NO
Коммутируемое напряжение
0–20 В
Сопротивление открытого ключа
100 мОм
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Интегральная схема PVN012SPBF Littelfuse». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.