Транзистор QN3109M6N UBIQ Semiconductor
- Партномер (MPN)
- QN3109M6N
- Производитель
- UBIQ Semiconductor Corp
- Корпус
- SMD
- Тип
- Транзистор
- Категория
- Товары
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры QN3109M6N
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
QN3109M6N — N-канальный MOSFET компании UBIQ Semiconductor на напряжение сток–исток 30 В, выполненный по технологии trench с высокой плотностью ячеек. Корпус PRPAK 5×6.
Транзистор отличается малым зарядом затвора и выпускается как «зелёное» изделие. Допустимое напряжение затвор–исток ±20 В, рабочая температура канала до +150 °C.
Характеристики
- Корпус
- PRPAK 5×6
- Тип канала
- N
- Напряжение сток–исток, В
- 30
- Макс. температура канала, °C
- 150
- Напряжение затвор–исток, В
- ±20
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Транзистор QN3109M6N UBIQ Semiconductor». Поставка под заказ от 1 шт.