MOSFET-транзистор RE1C002UNTCL ROHM
- Партномер (MPN)
- RE1C002UNTCL
- Производитель
- ROHM
- Корпус
- EMT3F
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры RE1C002UNTCL
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
N-канальный MOSFET-транзистор ROHM RE1C002UNTCL в корпусе EMT3F (SOT-416). Максимальное напряжение сток-исток 20 В, постоянный ток стока 200 мА, максимальное напряжение затвор-исток 8 В, рассеиваемая мощность 150 мВт.
Корпус также обозначается SOT-416FL, напряжение управления затвором 1,2 В. Транзистор работает в режиме обогащения, максимальная температура 150 °C.
Характеристики
- Корпус
- EMT3F
- Ток стока
- 200 мА
- Тип канала
- N
- Мощность рассеяния
- 150 мВт
- Напряжение затвора макс.
- 8 В
- Напряжение сток-исток макс.
- 20 В
- Вес
- 0,013 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор RE1C002UNTCL ROHM». Поставка под заказ от 1 шт.
