RE1C002UNTCL, корпус EMT3F (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор RE1C002UNTCL ROHM

Партномер (MPN)
RE1C002UNTCL
Производитель
ROHM
Корпус
EMT3F
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры RE1C002UNTCL

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

N-канальный MOSFET-транзистор ROHM RE1C002UNTCL в корпусе EMT3F (SOT-416). Максимальное напряжение сток-исток 20 В, постоянный ток стока 200 мА, максимальное напряжение затвор-исток 8 В, рассеиваемая мощность 150 мВт.

Корпус также обозначается SOT-416FL, напряжение управления затвором 1,2 В. Транзистор работает в режиме обогащения, максимальная температура 150 °C.

Характеристики

Корпус
EMT3F
Ток стока
200 мА
Тип канала
N
Мощность рассеяния
150 мВт
Напряжение затвора макс.
8 В
Напряжение сток-исток макс.
20 В
Вес
0,013 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор RE1C002UNTCL ROHM». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.