IGBT-транзистор SGW30N60 Infineon
- Партномер (MPN)
- SGW30N60
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-247
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SGW30N60
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IGBT Infineon SGW30N60 без встроенного диода, технология NPT с очень узким разбросом параметров и стабильным поведением от температуры; потери выключения на 30 % ниже, чем у предыдущего поколения. Корпус TO-247.
Напряжение коллектор-эмиттер 600 В, ток коллектора 41 А, напряжение насыщения 2,4 В, мощность рассеяния 250 Вт, заряд затвора 140 нКл.
Характеристики
- Технология
- NPT
- Напряжение К-Э, В
- 600
- Ток коллектора, А
- 41
- Заряд затвора, нКл
- 140
- Мощность рассеяния, Вт
- 250
- Напряжение насыщения К-Э, В
- 2,4
- Вес
- 3,640 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор SGW30N60 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.