MOSFET-транзистор SI1023X-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SI1023X-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SOT-563
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Vishay
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SI1023X-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Сдвоенный P-канальный MOSFET Vishay SI1023X-T1-GE3 в 6-выводном корпусе SC-89 (SOT-563), 1,8 В по затвору. Напряжение сток-исток −20 В, непрерывный ток стока −370 мА при 25 °C, мощность рассеяния 250 мВт.
Сопротивление открытого канала 1,2 Ом при 4,5 В, 1,6 Ом при 2,5 В и 2,7 Ом при 1,8 В. Пороговое напряжение 0,8 В (тип.), время переключения 14 нс, защита затвора от ESD 2000 В.
Характеристики
- ESD затвора, В
- 2000
- Ток стока, мА
- −370
- Конфигурация
- 2 × P-канал
- Rds(on) при 1,8 В, Ом
- 2,7
- Rds(on) при 2,5 В, Ом
- 1,6
- Rds(on) при 4,5 В, Ом
- 1,2
- Мощность рассеяния, мВт
- 250
- Напряжение сток-исток, В
- −20
- Пороговое напряжение (тип.), В
- 0,8
- Вес
- 0,145 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI1023X-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.