SI2308BDS-T1-E3, корпус SOT-23 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор SI2308BDS-T1-E3 Vishay

Партномер (MPN)
SI2308BDS-T1-E3
Производитель
Vishay
Корпус
SOT-23
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры SI2308BDS-T1-E3

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

Vishay SI2308BDS-T1-E3 — N-канальный MOSFET в корпусе SOT-23 с максимальным напряжением сток-исток 60 В. Номинальный ток стока 2,3 А, сопротивление открытого канала 156 мОм при управляющем напряжении затвора 4,5–10 В.

Максимальное напряжение затвор-исток 20 В, ёмкость затвора 190 пФ.

Характеристики

Корпус
SOT-23
Тип канала
N
Ток стока, А
2,3
Ёмкость затвора, пФ
190
Сопротивление канала, мОм
156
Напряжение сток-исток макс., В
60
Напряжение затвор-исток макс., В
20
Вес
0,321 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI2308BDS-T1-E3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.